Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Тимочко М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
|
1. |
Тимочко М. Листи Михайла Головащенка до Івана Смолія [Електронний ресурс] / М. Тимочко // Вісник Львівського університету. Сер. : Книгознавство, бібліотекознавство та інформаційні технології. - 2008. - Вип. 3. - С. 238-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vlukbit_2008_3_19
| 2. |
Тимочко М. Степан Радіон - хранитель австралійської україніки [Електронний ресурс] / М. Тимочко // Наукові записки [Національного університету "Острозька академія"]. Історичні науки. - 2013. - Вип. 21. - С. 248-252. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nznuoai_2013_21_43
| 3. |
Тимочко М. Юліан Мовчан - лікар і громадський діяч (до 100-річчя від дня народження) [Електронний ресурс] / М. Тимочко // Наукові записки [Національного університету "Острозька академія"]. Історичні науки. - 2013. - Вип. 21. - С. 253-257. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nznuoai_2013_21_44
| 4. |
Тимочко М. Українська громада в Австралії [Електронний ресурс] / М. Тимочко // Наукові записки [Національного університету "Острозька академія"]. Історичні науки. - 2008. - Вип. 11. - С. 37-46. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nznuoai_2008_11_6
| 5. |
Оліх Я. М. Вплив ультразвуку на протікання струму в низькоомних кристалах CdTe:Cl [Електронний ресурс] / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, М. І. Ілащук, О. А. Парфенюк, К. С. Ульяницький // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 1. - С. 56-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_1_8 В низькоомних кристалах CdTe:Cl n-типу (NCl ≈10 24 m-3) вперше спостережено динамічні (in-situ, повністю зворотні) акустостимульовані (АС) зміни провідності σ. Для визначення механізму АС явищ проведено дослідження температурних залежностей (77 ÷ 300 К) концентрації і рухливості електронів в умовах дії ультразвуку (УЗ) (f US ~ 10 MHz, WUS ~ (0,1 ÷ 2,0 ) · 104 Wt/m2) та кінетики релаксації σ(t) при ввімкненні та вимкненні УЗ. Запропоновано акусто-дислокаційний механізм, який пов'язує: "миттєві" (t < 1 sec) зміни σ(t) з додатковим розсіюванням носіїв заряду на дислокаціях та кластерах точкових дефектів, які коливаються в УЗ полі; довготривалі (50 ÷ 500 sec) температурно-залежні релаксації σ(t) є результатом дифузійної перебудови точково-дефектної структури в об'ємі кластера, включаючи перетворення акцепторного комплексу [(VCd2-ClTe+)-] в нейтральний - [(VCd2-2ClTe+)0].
| 6. |
Гамота А. А. На шляху до поступу: від кафедри до університету [Електронний ресурс] / А. А. Гамота, М. М. Тимочко // Науковий вісник Львівського національного університету ветеринарної медицини та біотехнологій імені С. З. Ґжицького. - 2015. - Т. 17, № 4. - С. 384-388. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvlnu_2015_17_4_67
| 7. |
Тимочко М. Славіст Лукія Гумецька та українська діаспора (за матеріалами особового архівного фонду) [Електронний ресурс] / М. Тимочко // Наукові записки Національного університету "Острозька академія". Серія : Історичні науки. - 2015. - Вип. 23. - С. 230-234. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nznuoai_2015_23_40
| 8. |
Оліх Я. М. Особливості протікання струму при ультразвуковому навантаженні в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl [Електронний ресурс] / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 5. - С. 389-399. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_5_4 З метою вияснення механізму впливу ультразвуку (УЗ) на електропровідність <$Esigma~(T)> у низькоомних монокристалах n-типу CdTe:Cl (<$EN sub { roman Cl}~symbol Ы~10 sup 24> м<^>-3) проведено температурні (77 - 300 К) дослідження ефекту Холла та кінетики релаксації <$Esigma~(t)> у разі ввімкнення та вимкнення УЗ (fUS ~ 10 МГц, WUS ~ 10<^>4 Вт/м<^>2). Вперше виявлено динамічний (повністю зворотний) вплив УЗ, який різниться для низькотемпературної області (HT, T << 180 К) і високотемпературної (ВТ, T >> 200 К). У ВТ області акустостимульовані (АС) зміни незначні, дещо падає рухливість, довготривалі <$Esigma~(t)> не проявляються. В HT області відносні АС зміни зростають, збільшується тривалість релаксаційних процесів <$Esigma~(t)>, які проявляють двостадійний характер. Для пояснення використано модель неоднорідного напівпровідника, що містить кластери домішкових дефектів в околі дислокацій. Запропоновано механізм, який пов'язує "миттєві" зростання <$Esigma~(t)> з АС зменшенням амплітуди флуктуацій крупномасштабного потенціалу в результаті збільшення ефективного електронного радіуса дислокаційних домішкових кластерів; довготривалі температурно-залежні релаксації (50 - 500 с) визначаються дифузійною перебудовою точково-дефектної структури в середині кластера, включаючи перебудову заряджених акцепторних комплексів <$E[(V sub { roman Cd} sup 2- Cl sub { roman Te} sup + ) sup - ]> в нейтральні - <$E[(V sub { roman Cd} sup 2- 2Cl sub { roman Te} sup + ) sup 0 ]>.
| 9. |
Тимочко М. М. З вірою в Україну (Товариству "Просвіта" - 150 років) [Електронний ресурс] / М. М. Тимочко // Науковий вісник Львівського національного університету ветеринарної медицини та біотехнологій імені С. З. Ґжицького. Серія : Економічні науки. - 2018. - Т. 20, № 86. - С. 182-186. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/smlnues_2018_20_86_36
| 10. |
Оліх Я. М. Чинники релаксації акустопровідності в CdTe [Електронний ресурс] / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, М. І. Ілащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 199-212. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_14 З метою з'ясування механізмів релаксації акустопровідності <$E sigma sub roman УЗ (t)> в низькоомних кристалах n-CdTe (<$E roman {N sub Cl~symbol Ы~1024~м sup -3}>) в інтервалі температур (<$E 77~symbol Ш~300>) К проведено дослідження її кінетики при ввімкненні та вимкненні ультразвуку. Роздільне співставлення температурних залежностей амплітуд окремих стадій <$E sigma sub roman УЗ (t)> з відповідними температурними змінами концентрації та рухливості, які отримані з незалежних "холлівських" вимірювань, дозволило пов'язати концентраційні ефекти з "миттєвими", а зміни рухливості - з "довготривалими" акустонаведеними змінами <$E sigma sub roman УЗ (t)>. Порівняння температурних швидкостей зростання окремих компонент рухливості з температурними змінами амплітуд окремих стадій <$E sigma sub roman УЗ (t)> дозволило розділити часові рамки прояву різних механізмів. Так, дві компоненти розсіювання - "дислокаційну" та "на нейтральних домішках", які характеризуються малими швидкостями температурних змін, близькими до швидкості зміни миттєвої компоненти, віднесено до чинників, що визначають миттєву акустостимульовану зміну <$E sigma~(t)>. Компоненту розсіювання "на тонізованих домішках", як саму швидку, і яка характеризується найбільшим акустостимульованим зростанням <$E sigma~(t)> віднесено до чинників, що визначають довготривалі зміни <$E sigma~(t)>. Обговорено можливі механізми акустостимульованих процесів перебудови структури точково-дефектних комплексів в придислокаційних областях кристала. Відзначено, що при динамічних акустостимульованих коливаннях дислокацій з амплітудою, що значно перевищує параметр гратки, відбувається дифузійне затягування точкових дефектів із об'єму кристала (субблока) в потенціальні ями придислокаційних кластерів. Цей процес може призводити до захоплення на дислокаційні пастки значної кількості дефектів точкового типу (у тому числі заряджених), що веде до зменшення концентрації іонізованих центрів.
| 11. |
Оліх Я. М. Дослідження "придислокаційних" кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла [Електронний ресурс] / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, Н. В. Сафрюк, М. І. Ілащук, О. Я. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2017. - Вып. 52. - С. 108-122. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2017_52_10 З метою з'ясування механізму впливу ультразвуку (УЗ) на електроактивність "придислокаційних" кластерів точкових дефектів у низькоомних кристалах CdZnTe (NCl ~ 1024 м-3) n-типу з різною густиною дислокацій (0,4...5,1) х 1010 м-2 за методом "акусто-Холла" (метод Холла за ультразвукового навантаження) проведено температурні (77 - 300) К дослідження концентрації електронів n(T) та їх рухливості muH(T). Виявлено зміни електрофізичних параметрів з температурою та інтенсивністю ультразвуку. Для аналізу експериментальних залежностей muH(T) шляхом їх нелінійної апроксимації за характерними температурними залежностями компонент muH(T) у разі розсіювання на фононах гратки (полярних оптичних фононах) та нейтральних домішках, а також за дислокаційного розсіювання застосовано метод диференціальної еволюції, який надав змогу оцінити відносний внесок кожного з механізмів та їх зміни у разі УЗ навантаження. Встановлено, що під час УЗ навантаження в усіх зразках спостерігається збільшення компоненти розсіювання на нейтральних домішках і зменшення компоненти розсіювання на іонізованих домішках та дислокаціях. Величина і характер цих акусто-індукованих змін корелюють з дислокаційними характеристиками конкретних зразків. Зроблено висновок, що спостережені ефекти пов'язані з акусто-індукованою перебудовою точково-дефектної структури зразка у придислокаційних областях кристала.
| 12. |
Оліх Я. М. Значення DX–центрів для акустоіндукованих процесів перебудови дефектів В GaN/AlGaN [Електронний ресурс] / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, В. П. Кладько, О. І. Любченко, О. Є. Бєляєв, В. В. Калюжний // Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. - 2021. - Вип. 56. - С. 61-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2021_56_7
|
|
|